VS-2EJH01HM3/6B
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-2EJH01HM3/6B
| Artikelnummer: | VS-2EJH01HM3/6B |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-2EJH01HM3/6B Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments VS-2EJH01HM3/6B.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 930 mV @ 2 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse DO-221AC (SlimSMA) Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® Rückwärts-Erholzeit (Trr) 25 ns Verpackung / Gehäuse DO-221AC, SMA Flat Leads Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 175°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 2 µA @ 100 V Strom - Richt (Io) 2A Kapazität @ Vr, F - Grundproduktnummer 2EJH01 VS-2EJH01HM3/6B Einzelheiten PDF [English] VS-2EJH01HM3/6B PDF - EN.pdf -
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